IGBT 60N100 1000V 60A DIP

آی جی بی تی ساختاری ترکیبی از MOSFET و BJT دارد. این ترانزیستور از چهار لایه نیمه‌ هادی با ترتیب P-N-P-N ساخته شده است که در آن، گیت مشابه MOSFET است و به جای استفاده از جریان برای روشن و خاموش کردن، از ولتاژ استفاده می ‌شود. این ویژگی به IGBT اجازه می ‌دهد که به سرعت سوئیچ کند و همچنین توانایی تحمل ولتاژهای بالا و جریان‌ های زیاد را داشته باشد.ساختار پایه IGBT به گونه ‌ای است که می ‌تواند در شرایط مختلف عملکرد بهینه داشته باشد. در هنگام روشن شدن، جریان از الکترودهای Collector به Emitter می‌ رود، در حالی که ولتاژ اعمال‌ شده به دروازه باعث افزایش هدایت الکتریکی در ناحیه پیوندها می ‌شود. زمانی که ولتاژ دروازه به صفر برسد، جریان قطع می ‌شود و ترانزیستور خاموش می‌ شود.